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超高壓XRD分析手段有2種，分單晶X射線衍射法，多晶X射線衍射法。對應(yīng)地，所用的XRD設(shè)備，也分為單晶衍射儀和多晶衍射儀。物相，簡稱為相，它是有某種晶體結(jié)構(gòu)并能用化學(xué)式表征其化學(xué)成分（或有一定的成分范圍）的固體物質(zhì)?；瘜W(xué)成分不同的是不同的物相，化學(xué)成分相同而內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同的，也是不同的物相。例如，同樣是鐵，它能以晶體結(jié)構(gòu)為體心立方結(jié)構(gòu)的Fe、也能以面心立方結(jié)構(gòu)的Fe、還能以體心立方結(jié)構(gòu)的高溫Fe，這3種物相形式存在。X射線的性質(zhì)：1）物理作用，使某些物質(zhì)發(fā)出熒光一可見光，用于熒...

當(dāng)一束單色X射線照射到晶體上時，晶體中原子周圍的電子受X射線周期變化的電場作用而振動，從而使每個電子都變?yōu)榘l(fā)射球面電磁波的次生波源。所發(fā)射球面波的頻率與入射的X射線相一致?；诰w結(jié)構(gòu)的周期性，晶體中各個原子（原子上的電子）的散射波可相互干涉而疊加，稱之為相干散射或衍射。X射線在晶體中的衍射現(xiàn)象，實質(zhì)上是大量原子散射波相互干涉的結(jié)果。每種晶體所產(chǎn)生的衍射花樣都反映出晶體內(nèi)部的原子分布規(guī)律。X射線衍射儀XRD主要部件包括4部分：（1）高穩(wěn)定度X射線源提供測量所需的X射線，改變X...

日本電子電鏡可對各種材料的物質(zhì)表面形貌進行觀察，特別適用于不便進行破壞性處理的塊狀樣品；配合能譜儀可以對各種元素進行定性、定量分析；配合電子背散射衍射系統(tǒng)可進行織構(gòu)、晶體取向等分析。廣泛應(yīng)用于金屬材料、無機材料、高分子材料、催化劑、潤滑材料、地質(zhì)礦物、金屬、沙漠、生物醫(yī)學(xué)等方面。電子顯微鏡是以電子束作光源、電磁場作透鏡、具有高分辨率和放大倍率的顯微鏡。電鏡通過收集、整理和分析電子與樣品相互作用產(chǎn)生的各種信息而獲得物體的形貌和結(jié)構(gòu)等。電鏡的類型也是利用電子信號的不同和成像的不同...

由于半導(dǎo)體器件體積小、重量輕、壽命長、功率損耗小、機械性能好.因而適用的范閘極廣。然而半導(dǎo)體器件的性能和穩(wěn)定性在很大程度上受它表面的微觀狀態(tài)的影響。一般在半導(dǎo)體器件試制和生產(chǎn)過程巾包括了切割、研磨、拋光以及各種化學(xué)試劑處理等一系列工廳，~正是在這些過程巾，會造成表面的結(jié)構(gòu)發(fā)生驚人的變化，所以幾乎每一個步驟都需要對擴散進行檢測.深度進行測繭或者直接看到擴散區(qū)的實際分布情況，而生產(chǎn)大型集成電路就更是如此。目前.臺式掃電鏡在半導(dǎo)體中的應(yīng)用已經(jīng)深入到許多方面。臺式電鏡SEM質(zhì)量監(jiān)控與...

高溫環(huán)境XRD主要應(yīng)用于樣品的物相定性或定量分析，晶體結(jié)構(gòu)分析，材料的織構(gòu)分析，宏觀應(yīng)力或微觀應(yīng)力的測定，晶粒大小測定，結(jié)晶度測定等等，因此，在材料科學(xué)、物理學(xué)、化學(xué)、化工、冶金、礦物、藥物、塑料、建材、陶瓷……以至考古、刑偵、商檢等眾多學(xué)科、相關(guān)的工業(yè)、行業(yè)中都有重要的應(yīng)用。是理工科院校和涉及材料研究、生產(chǎn)的研究部門、廠礦的重要的大型分析設(shè)備。高溫環(huán)境XRD基本構(gòu)成包括：高穩(wěn)定度X射線發(fā)生器，精密測角臺，X射線強度測量系統(tǒng)，安裝有專用軟件的計算機系統(tǒng)等四大部分。按其X射線發(fā)...

鎢燈絲電鏡成像所用的物理信號是電子束轟擊固體樣品而激發(fā)產(chǎn)生的。具有一定能量的電子，當(dāng)其入射固體樣品時，將與樣品內(nèi)原子核和核外電子發(fā)生彈性和非單生散射過程，激發(fā)固體樣品產(chǎn)生多種物理信號，如二次電子、背散射電子、吸收電子、X射線、俄歇電子等。SEM中的三種主要信號：背散射電子：入射電子在樣品中經(jīng)散射后再從上表面射出來的電子。反映樣品表面不同取向、不同平均原子量的區(qū)域差別。二次電子：由樣品中原子外殼層釋放出來，在掃描電子顯微術(shù)中反映樣品上表面的形貌特征。x射線：入射電子在樣品原子激...

任何物質(zhì)的光譜產(chǎn)生都有著嚴格的物理機制。分子的能量由電子能量、振動能量和轉(zhuǎn)動能量組成。根據(jù)理論計算，振動能級之間的能量差在0.25~1.0eV之間時，光譜產(chǎn)生在近中紅外區(qū)。在0.4~1.3um范圍內(nèi)，主要取決于礦物晶格結(jié)構(gòu)中存在的鐵等過渡性金屬元素；1.3～2.5um范圍內(nèi)的光譜特性是由礦物中的碳酸根離子、氫氧根離子和水分子決定的；3~5um光譜范圍的中遠紅外波段光譜由Si-O、Al-O等分子鍵振動模式?jīng)Q定。在對巖礦光譜進行定量分析時，根據(jù)礦物的吸收特征，為每種礦物建立起綜合...